Infineon N-Kanal, MOSFET, 50 A 600 V N, 22 Ben, HDSOP, IPDQ60R010S7

Indhold (750 enheder, på en rulle med 750)*

Kr. 86.102,25

(ekskl. moms)

Kr. 107.628,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 17. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
750 +Kr. 114,803Kr. 86.102,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
225-0579
Producentens varenummer:
IPDQ60R010S7XTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPDQ60R010S7

Emballagetype

HDSOP

Monteringstype

Overflade

Benantal

22

Drain source modstand maks. Rds

10mΩ

Kanalform

N

Gennemgangsspænding Vf

820mV

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

318nC

Effektafsættelse maks. Pd

694W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

15.1mm

Højde

21.06mm

Bredde

2.35mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IPDQ60R010S7 er N-kanal Power MOSFET og giver den bedste ydelse til anvendelser med skift ved lave frekvenser. MOSFET'en er optimeret til statisk switching og anvendelser med høj strømstyrke. Den er velegnet til solid state relæ- og automatsikringer samt til linerensretning i SMPS- og invertertopologier.

Minimerer ledningstab

Øger energieffektiviteten

Mere kompakt og nemmere design

Eliminerer eller reducerer kølelegemer i solid-state-design

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.