Infineon N-Kanal, MOSFET, 50 A 600 V N, 22 Ben, HDSOP, IPDQ60R010S7
- RS-varenummer:
- 225-0580
- Producentens varenummer:
- IPDQ60R010S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 179,52
(ekskl. moms)
Kr. 224,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 179,52 |
| 2 - 4 | Kr. 170,54 |
| 5 - 9 | Kr. 163,36 |
| 10 - 24 | Kr. 156,26 |
| 25 + | Kr. 145,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-0580
- Producentens varenummer:
- IPDQ60R010S7XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | IPDQ60R010S7 | |
| Emballagetype | HDSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 22 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 694W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 318nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 820mV | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.06mm | |
| Bredde | 2.35mm | |
| Længde | 15.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie IPDQ60R010S7 | ||
Emballagetype HDSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 22 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 694W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 318nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 820mV | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.06mm | ||
Bredde 2.35mm | ||
Længde 15.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPDQ60R010S7 er N-kanal Power MOSFET og giver den bedste ydelse til anvendelser med skift ved lave frekvenser. MOSFET'en er optimeret til statisk switching og anvendelser med høj strømstyrke. Den er velegnet til solid state relæ- og automatsikringer samt til linerensretning i SMPS- og invertertopologier.
Minimerer ledningstab
Øger energieffektiviteten
Mere kompakt og nemmere design
Eliminerer eller reducerer kølelegemer i solid-state-design
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 50 A 600 V N HDSOP, IPDQ60R010S7
- Infineon N-Kanal 174 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPQC60
- Infineon N-Kanal 174 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPDQ60
- Infineon N-Kanal 288 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon N-Kanal 90 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon N-Kanal 65 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, CoolMOSTM8thgeneration
- Infineon N-Kanal 113.3 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPD
- Infineon N-Kanal 30 A 600 V Forbedring PG-HDSOP-22, IPQ
