Vishay N-Kanal, MOSFET, 47 A 600 V, 3 Ben, TO-263, E

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
225-9909
Producentens varenummer:
SIHB053N60E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

47A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

E

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

54mΩ

Portkildespænding maks.

30V

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

92nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

15.88mm

Bredde

9.65mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay Siliconix opretholder pålidelige data for halvlederteknologi og pakkens pålidelighed og repræsenterer en sammensat af alle kvalificerede placeringer.

Generation E-serie teknologi

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Færre skift og ledningstab

Nominel lavine-energi (UIS)

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.