Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 47 A 600 V, 3 Ben, TO-263, E Nej SIHB053N60E-GE3
- RS-varenummer:
- 225-9910
- Producentens varenummer:
- SIHB053N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 95,22
(ekskl. moms)
Kr. 119,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 746 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 47,61 | Kr. 95,22 |
| 20 - 48 | Kr. 42,86 | Kr. 85,72 |
| 50 - 98 | Kr. 40,465 | Kr. 80,93 |
| 100 - 198 | Kr. 38,075 | Kr. 76,15 |
| 200 + | Kr. 35,23 | Kr. 70,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-9910
- Producentens varenummer:
- SIHB053N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 47A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 54mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 92nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 9.65 mm | |
| Højde | 15.88mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 47A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 54mΩ | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 92nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 9.65 mm | ||
Højde 15.88mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Siliconix opretholder pålidelige data for halvlederteknologi og pakkens pålidelighed og repræsenterer en sammensat af alle kvalificerede placeringer.
Generation E-serie teknologi
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Færre skift og ledningstab
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 47 A 600 V D2PAK (TO-263), E-Series SIHB053N60E-GE3
- Vishay N-Kanal 29 A 600 V D2PAK (TO-263), E Series SIHB30N60E-GE3
- Vishay N-Kanal 15 A 600 V, D2PAK (TO-263) SIHB15N60E-GE3
- Vishay N-Kanal 19 A 600 V D2PAK (TO-263) SIHB22N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 3 3 ben, D2PAK (TO-263) SIHFBC30AS-GE3
- Vishay N-Kanal 3 3 ben, D2PAK (TO-263) SIHFBC30S-GE3
- Vishay N-Kanal 41 A 600 V D2PAK (TO-263), SiHB068N60EF SIHB068N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 29 A 600 V D2PAK (TO-263), SiHB105N60EF SIHB105N60EF-GE3
