Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 11.5 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK 1212, P-Channel 60-V AEC-Q101 SQ7415CENW-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 225-9934
- Producentens varenummer:
- SQ7415CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 158,575
(ekskl. moms)
Kr. 198,225
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 11.650 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 6,343 | Kr. 158,58 |
| 125 - 225 | Kr. 5,709 | Kr. 142,73 |
| 250 - 600 | Kr. 5,388 | Kr. 134,70 |
| 625 - 1225 | Kr. 4,757 | Kr. 118,93 |
| 1250 + | Kr. 3,806 | Kr. 95,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-9934
- Producentens varenummer:
- SQ7415CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | P-Channel 60-V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 136mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 53W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.85V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie P-Channel 60-V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 136mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 53W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.85V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix opretholder pålidelige data for halvlederteknologi og pakkens pålidelighed og repræsenterer en sammensat af alle kvalificerede placeringer.
TrenchFET effekt MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 11.5 A 60 V PowerPAK 1212, P-Channel 60-V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 8 A 60 V, PowerPAK 1212-8 Nej SQS460EN-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W AEC-Q101 SQS405CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 8 A 60 V, PowerPAK 1212-8 Nej
- Vishay Type N-Kanal 18 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101 SQS414CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 18 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101 SQS660CENW-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 137 A 12 V PowerPAK (8x8L), P-Channel 12 V AEC-Q101 SQJ123ELP-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 226 A 40 V PowerPAK (8x8L), P-Channel 40 V AEC-Q101 SQJQ141EL-T1_GE3
