Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 113 A 45 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiR450DP-T1-RE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 64,25

(ekskl. moms)

Kr. 80,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.880 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,85Kr. 64,25
50 - 245Kr. 12,088Kr. 60,44
250 - 495Kr. 10,92Kr. 54,60
500 - 1245Kr. 10,292Kr. 51,46
1250 +Kr. 9,634Kr. 48,17

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2899
Producentens varenummer:
SiR450DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

113A

Drain source spænding maks. Vds

45V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

48W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

75.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 45 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links