Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 126 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiR510DP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 92,90

(ekskl. moms)

Kr. 116,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5.260 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 18,58Kr. 92,90
50 - 120Kr. 16,71Kr. 83,55
125 - 245Kr. 14,87Kr. 74,35
250 - 495Kr. 13,568Kr. 67,84
500 +Kr. 11,698Kr. 58,49

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2904
Producentens varenummer:
SiR510DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

126A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

54nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 100 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links