Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 500 A 30 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ126EP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 228-2950
- Producentens varenummer:
- SQJ126EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 85,35
(ekskl. moms)
Kr. 106,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Manglende forsyning
- 2.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,07 | Kr. 85,35 |
| 50 - 120 | Kr. 14,526 | Kr. 72,63 |
| 125 - 245 | Kr. 13,658 | Kr. 68,29 |
| 250 - 495 | Kr. 12,82 | Kr. 64,10 |
| 500 + | Kr. 11,116 | Kr. 55,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2950
- Producentens varenummer:
- SQJ126EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 500A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.94mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 101nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 500A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.94mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 101nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET N-kanal til brug i biler er 30 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 500 A 30 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SQJ126EP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 350 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SQJ136ELP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 114 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SQJ152EP-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 33.6 A. 100 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SQJ211ELP-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 90 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SQJ147ELP-T1_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 24 4 ben TrenchFET AEC-Q101 SQJ872EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 75 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJA76EP-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 350 A 40 V PowerPAK SO-8L Automotive, TrenchFET® SQJA36EP-T1_GE3
