Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 500 A 30 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 228-2950
- Producentens varenummer:
- SQJ126EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 95,52
(ekskl. moms)
Kr. 119,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
- Plus 2.990 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 19,104 | Kr. 95,52 |
| 50 - 120 | Kr. 16,246 | Kr. 81,23 |
| 125 - 245 | Kr. 15,274 | Kr. 76,37 |
| 250 - 495 | Kr. 14,346 | Kr. 71,73 |
| 500 + | Kr. 12,416 | Kr. 62,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2950
- Producentens varenummer:
- SQJ126EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 500A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.94mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 101nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 500A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.94mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 101nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET N-kanal til brug i biler er 30 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 500 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 373 A 60 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 467 A 40 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 5.4 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 114 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 24.5 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 98 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101