Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101 SQSA70CENW-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 228-2972
- Producentens varenummer:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 61,56
(ekskl. moms)
Kr. 76,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,156 | Kr. 61,56 |
| 100 - 240 | Kr. 5,842 | Kr. 58,42 |
| 250 - 490 | Kr. 4,615 | Kr. 46,15 |
| 500 - 990 | Kr. 4,308 | Kr. 43,08 |
| 1000 + | Kr. 3,695 | Kr. 36,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2972
- Producentens varenummer:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 68.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.85V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Længde | 3.3mm | |
| Højde | 3.3mm | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 68.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.85V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Længde 3.3mm | ||
Højde 3.3mm | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET N-kanal til brug i biler er 150 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 18 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101 SQS414CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 18 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101 SQS486CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 18 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101 SQS660CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 18 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101 SQSA12CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 18 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 18 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 18 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101