Vishay N-Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 228-2972
- Producentens varenummer:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 73,98
(ekskl. moms)
Kr. 92,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,398 | Kr. 73,98 |
| 100 - 240 | Kr. 7,016 | Kr. 70,16 |
| 250 - 490 | Kr. 5,558 | Kr. 55,58 |
| 500 - 990 | Kr. 5,176 | Kr. 51,76 |
| 1000 + | Kr. 4,443 | Kr. 44,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2972
- Producentens varenummer:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | SQSA70CENW | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8W | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 68.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 850mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Højde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie SQSA70CENW | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8W | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 68.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 850mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 3.3mm | ||
Højde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay SQSA70CENW seriens MOSFET, 150 V drain source-spænding, 18 A kontinuerlig drain-strøm - SQSA70CENW-T1_GE3
Denne MOSFET er en effekt-switching-transistor, der er designet til højspændings-, højstrømsanvendelser i printmonterede systemer. Den fungerer som en N-kanal-forbedringsenhed, der er velegnet til koblings- og strømstyringsroller over et bredt temperaturområde, og den præsenteres i et kompakt SMD-hus til snævre kortlayouter.
Egenskaber og fordele:
• 150 V drain-kapacitet muliggør højspændingsswitching
• 18A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter tunge belastninger
• 68.5 mΩ RDS(on) minimerer ledningstab
• 8 nC typisk gate-ladning muliggør hurtige skifteovergange
• 62.5 W maks. effekttab håndterer termisk stress
• 20 V gate-source-tolerance giver mulighed for brede drevmargener
• 18A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter tunge belastninger
• 68.5 mΩ RDS(on) minimerer ledningstab
• 8 nC typisk gate-ladning muliggør hurtige skifteovergange
• 62.5 W maks. effekttab håndterer termisk stress
• 20 V gate-source-tolerance giver mulighed for brede drevmargener
Anvendelser
• Velegnet til strømkonverteringsmoduler til biler
• Ideel til DC-DC-omformere i industrielt udstyr
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver håndtering af høj strømstyrke
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Velegnet til batteristyring og opladningskredsløb
• Ideel til DC-DC-omformere i industrielt udstyr
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver håndtering af høj strømstyrke
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Velegnet til batteristyring og opladningskredsløb
I hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt?
Den fungerer i et bredt område fra -55 °C op til 175 °C, hvilket gør den velegnet til miljøer med høje temperaturer.
Hvilken hustype og monteringsmetode bruger den?
Enheden leveres i en PowerPAK 1212-8W SMD-pakke, der er designet til printkortmontering for at lette kompakt montering.
Hvordan påvirker gate-opladningen koblingsydeevnen?
En typisk portladning på 8 nC reducerer portdrevenergien og bidrager til hurtigere tænding og slukning i koblingstopologier.
Er den velegnet til anvendelse i biler?
Den opfylder AEC-Q101-kravene til brug i elektroniske systemer i biler, hvor komponentkvalificering er nødvendig.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 16 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 8 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 12 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS840CENW AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 16 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS484CENW AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 18 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 18 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
