Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 150 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, TrenchFET Nej SUP60061EL-GE3
- RS-varenummer:
- 228-2990
- Producentens varenummer:
- SUP60061EL-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 61,78
(ekskl. moms)
Kr. 77,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 84 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 70 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 628 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 30,89 | Kr. 61,78 |
| 20 - 48 | Kr. 28,985 | Kr. 57,97 |
| 50 - 98 | Kr. 26,215 | Kr. 52,43 |
| 100 - 198 | Kr. 24,685 | Kr. 49,37 |
| 200 + | Kr. 23,19 | Kr. 46,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2990
- Producentens varenummer:
- SUP60061EL-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 145nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 145nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay P-kanal 80 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 150 A 80 V TO-220AB, TrenchFET SUP60061EL-GE3
- Vishay P-Kanal 150 A 80 V D2PAK (TO-263), TrenchFET SUM60061EL-GE3
- Vishay N-Kanal 150 A 80 V TO-220AB SUP60020E-GE3
- Vishay P-Kanal 520 mA 150 V SOT-363, TrenchFET SI1411DH-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 5 6 ben TrenchFET Si3129DV-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 3 A 80 V SOT-23, TrenchFET Si2387DS-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 150 A 200 V TO-220, TrenchFET SUP90100E-GE3
- Vishay N-Kanal 150 A 200 V D2PAK (TO-263), TrenchFET SUM90100E-GE3
