Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 15 A 100 V, 3 Ben, TO-220, IPP082N10NF2S Nej IPP082N10NF2SAKMA1
- RS-varenummer:
- 228-6553
- Producentens varenummer:
- IPP082N10NF2SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 57,32
(ekskl. moms)
Kr. 71,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 910 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,732 | Kr. 57,32 |
| 100 - 240 | Kr. 5,438 | Kr. 54,38 |
| 250 - 490 | Kr. 5,206 | Kr. 52,06 |
| 500 - 990 | Kr. 4,982 | Kr. 49,82 |
| 1000 + | Kr. 4,638 | Kr. 46,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-6553
- Producentens varenummer:
- IPP082N10NF2SAKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IPP082N10NF2S | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.2mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.45mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bredde | 4.57 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IPP082N10NF2S | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.2mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.45mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bredde 4.57 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IPP082N10NF2S er N-kanal MOSFET. Drænkildespændingen for denne mosfet er 100 V. Den understøtter en lang række anvendelser, og standard pinout giver mulighed for drop-in udskiftning. denne mosfet har øget strømbelastningsevne.
Optimeret til en lang række anvendelser
N-kanal, normalt niveau
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 15 A 100 V TO-220, IPP082N10NF2S IPP082N10NF2SAKMA1
- Infineon N-Kanal 15 A PG-TO 220 IPA600N25NM3SXKSA1
- Infineon N-Kanal 15 A 700 V TO-220, CoolMOS™ IPP65R155CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 15 A 650 V TO-220 FP, CoolMOS™ C3 SPA15N60C3XKSA1
- Infineon N-Kanal 15 A 900 V TO-220 FP, CoolMOS™ C3 IPA90R340C3XKSA1
- Infineon N-Kanal 130 A 100 V HEXFET IRFS4310TRLPBF
- Infineon N-Kanal 130 A 100 V HEXFET IRFS7440TRLPBF
- Infineon N-Kanal 192 A 100 V HEXFET IRF100B201
