Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 15 A 250 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO-220, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 273-7457
- Producentens varenummer:
- IPA600N25NM3SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 35,90
(ekskl. moms)
Kr. 44,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 496 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 17,95 | Kr. 35,90 |
| 10 - 18 | Kr. 16,38 | Kr. 32,76 |
| 20 - 98 | Kr. 16,005 | Kr. 32,01 |
| 100 - 248 | Kr. 14,96 | Kr. 29,92 |
| 250 + | Kr. 13,765 | Kr. 27,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-7457
- Producentens varenummer:
- IPA600N25NM3SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | PG-TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 60mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype PG-TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 60mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er velegnet til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Denne MOSFET er 100 procent lavine-testet og kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC-standarden. Det er en N-kanal MOSFET og halogenfri i overensstemmelse med IEC61249 2 21.
Blyfri blybelægning
I overensstemmelse med RoHS
Fremragende gate opladning
Meget lav modstand ved tænding
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 15 A 250 V Forbedring PG-TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 87 A 60 V Forbedring PG-TO-220 FullPAK, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 64 A 250 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 220 A 100 V Forbedring PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon Type N-Kanal 61 A 250 V Forbedring TO-220, OptiMOS FD
- Infineon Type P-Kanal 6.5 A 60 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 6 A 950 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 90 A 80 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS