Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IPP AEC
- RS-varenummer:
- 229-1846
- Producentens varenummer:
- IPP120P04P4L03AKSA2
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 229-1846
- Producentens varenummer:
- IPP120P04P4L03AKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | IPP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 180nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Portkildespænding maks. | 5 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.54mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 15.95 mm | |
| Længde | 15.65mm | |
| Bilindustristandarder | AEC | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie IPP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 180nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Portkildespænding maks. 5 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.54mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 15.95 mm | ||
Længde 15.65mm | ||
Bilindustristandarder AEC | ||
Infineon Series IPP MOSFET, 120A maksimal kontinuerlig dræningsstrøm, 40V maksimal dræningskildespænding - IPP120P04P4L03AKSA2
Denne silicium-MOSFET er designet til høj ydeevne i forskellige applikationer. Komponenten har en TO-220-pakke, der forbedrer dens evne til effektiv varmeafledning. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 120 A og en drain-source-spænding på 40 V giver den fremragende driftsfleksibilitet i krævende miljøer. MOSFET'en fungerer effektivt over et bredt temperaturområde, hvilket gør den velegnet til bilindustrien og industrielle anvendelser.
Egenskaber og fordele
• P-channel enhancement mode sikrer effektiv switching performance
• AEC-kvalificeret, opfylder strenge standarder for bilindustrien
• Maksimal driftstemperatur på +175°C giver mulighed for krævende krav
• MSL1-klassificering understøtter reflow-processer ved høje temperaturer
Anvendelser
• Bruges i bilers styresystemer til effektiv strømstyring
• Effektivt til elektrisk motordrift i robotteknologi
• Inkorporeret i strømforsyningskredsløb i industrimaskiner
• Velegnet til forbrugerelektronik, hvor kompakt størrelse er afgørende
Hvilken betydning har den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm?
Den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm angiver den højeste mængde strøm, enheden kan håndtere under normale driftsforhold, hvilket er vigtigt for at sikre pålidelighed i applikationer, der kræver høj strømkapacitet.
Hvordan bidrager den lave Rds(on) til strømeffektiviteten?
En lav Rds(on) reducerer effekttabet under drift, så enhederne kan køre køligere og forbedre systemets samlede energieffektivitet, hvilket især er en fordel i batteridrevne designs.
Hvilke sikkerhedsfunktioner tilbyder denne komponent til barske miljøer?
Denne enhed er 100 % lavinetestet, hvilket sikrer, at den kan modstå transiente forhold uden at svigte, hvilket er afgørende for at beskytte kredsløb i uforudsigelige miljøer som f.eks. bilindustrien og industrielle applikationer.
Hvilke præstationsegenskaber skal man overveje, når man integrerer denne komponent i eksisterende systemer?
Nøgleegenskaber som gate-tærskelspænding, maksimal gate-source-spænding og termisk modstand bør evalueres for at sikre kompatibilitet med eksisterende kredsløbsdesign og for at optimere ydeevnen.
Hvordan forbedrer driftstemperaturområdet dets anvendelighed i forskellige applikationer?
Med et driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C er denne MOSFET alsidig nok til at blive brugt i et bredt spektrum af applikationer, fra ekstremt kolde miljøer til driftsmiljøer med høje temperaturer.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-220, IPP AEC IPP120P04P4L03AKSA2
- Infineon Type P-Kanal 62 A 100 V Forbedring TO-220, IPP Nej IPP330P10NMAKSA1
- Infineon Type P-Kanal -80 A 100 V Forbedring TO-220, IPP AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -80 A 100 V Forbedring TO-220, IPP AEC-Q101 IPP80P03P4L04AKSA2
- Infineon Type N-Kanal 193 A 40 V Forbedring TO-220, IPP Nej
- Infineon Type N-Kanal 197 A 40 V Forbedring TO-220, IPP Nej
- Infineon Type N-Kanal 137 A 100 V Forbedring TO-220, IPP Nej
- Infineon Type N-Kanal 121 A 40 V Forbedring TO-220, IPP Nej
