Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, IPZ AEC-Q101 IPZ40N04S55R4ATMA1
- RS-varenummer:
- 229-1852
- Producentens varenummer:
- IPZ40N04S55R4ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 71,19
(ekskl. moms)
Kr. 88,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 4,746 | Kr. 71,19 |
| 75 - 135 | Kr. 4,508 | Kr. 67,62 |
| 150 - 360 | Kr. 4,319 | Kr. 64,79 |
| 375 - 735 | Kr. 4,129 | Kr. 61,94 |
| 750 + | Kr. 3,845 | Kr. 57,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1852
- Producentens varenummer:
- IPZ40N04S55R4ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | IPZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.05mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie IPZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.05mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon n-kanal normal MOSFET-niveau, der bruges til brug i biler. Den har en driftstemperatur på 175 oC og 100 procent lavine testet.
Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ 5 IPZ40N04S55R4ATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ BSZ034N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 100 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ BSZ146N10LS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 105 A 40 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ BSZ040N04LSGATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 100 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ 3 BSZ150N10LS3GATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 100 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ 5 IAUZ40N10S5N130ATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 80 V PQFN 3 x 3, OptiMOS™ 5 BSZ110N08NS5ATMA1
