Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, OptiMOS Nej BSZ146N10LS5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 136,08

(ekskl. moms)

Kr. 170,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 20Kr. 6,804Kr. 136,08
40 - 80Kr. 6,464Kr. 129,28
100 - 180Kr. 6,185Kr. 123,70
200 - 480Kr. 5,92Kr. 118,40
500 +Kr. 5,511Kr. 110,22

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2473
Producentens varenummer:
BSZ146N10LS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

PQFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

14.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineons OptiMOS™ 5 effekt MOSFET'er logikniveau er særdeles velegnede til trådløs opladning, adapter og telekommunikation. Enhedernes lave gate-opladning (Q g) reducerer skiftetab uden at gå på kompromis med ledningstab. De forbedrede tal for fortjeneste gør det muligt at arbejde ved høje skiftefrekvenser. Desuden leverer logikniveaudrevet en lav gate-tærskelspænding (V GS(The)), der gør det muligt at drive MOSFET'erne ved 5 V og direkte fra mikrokontrollere.

Lav R DS (til) i lille hus

Lav portopladning

Lavere udgangsladning

Kompatibilitet med logikniveau

Relaterede links