onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 500 V N, 3 Ben, SOT-223, UniFET II

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 70,16

(ekskl. moms)

Kr. 87,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.680 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,016Kr. 70,16
100 - 240Kr. 6,051Kr. 60,51
250 - 490Kr. 5,243Kr. 52,43
500 - 990Kr. 4,615Kr. 46,15
1000 +Kr. 4,189Kr. 41,89

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
229-6327
Producentens varenummer:
FDT4N50NZU
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Serie

UniFET II

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3Ω

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.7mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.7mm

Bilindustristandarder

Nej

ON Semiconductor UniFET II højspændings MOSFET baseret på Advanced planar-stribe og DMOS-teknologi. Denne Advanced MOSFET har den mindste modstand i tilstanden blandt den planare MOSFET og giver også overlegen skifteevne og højere lavineenergi. Den er velegnet til omskiftning af effektkonverter som f.eks. effektfaktorkorrektion, fladskærm, tv-strøm, ATX og elektroniske lampeforkoblinger.

Meget lav gate-opladning

100 % avalanche-testet

Blyfri

Halogenfri

I overensstemmelse med RoHS

Relaterede links