onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 203 A 80 V N, 8 Ben, M0-299A, NBTLS Nej NTBLS1D7N08H
- RS-varenummer:
- 229-6448
- Producentens varenummer:
- NTBLS1D7N08H
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 71,88
(ekskl. moms)
Kr. 89,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 20. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 35,94 | Kr. 71,88 |
| 20 - 198 | Kr. 30,965 | Kr. 61,93 |
| 200 + | Kr. 26,89 | Kr. 53,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6448
- Producentens varenummer:
- NTBLS1D7N08H
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 203A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | NBTLS | |
| Emballagetype | M0-299A | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 121nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.4 mm | |
| Længde | 11.78mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 203A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie NBTLS | ||
Emballagetype M0-299A | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 121nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.4 mm | ||
Længde 11.78mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor N-kanal effekt MOSFET har lav modstand og lav gate-opladning. Den har 203 A drænstrøm. Den bruges i elværktøj, batteridrevne støvsugere, AV/droner, materialehåndtering, BMS/opbevaring og hjemmeautomatisering.
Minimer ledningstab
Minimer tab af fører
Sænker switching-støj/EMI
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 203 A 80 V N M0-299A, NBTLS Nej
- onsemi Type N-Kanal 187 A 150 V Forbedring MO-299A, NBTLS Nej
- onsemi Type N-Kanal 187 A 150 V Forbedring MO-299A, NBTLS Nej NTBLS4D0N15MC
- onsemi Type N-Kanal 203 A 80 V Forbedring DFN, NTMFS6H800N Nej
- onsemi Type N-Kanal 203 A 80 V Forbedring DFN, NTMFS6H800N Nej NTMFS6H800NT1G
- onsemi Type N-Kanal 203 A 80 V Forbedring DFN, NVMFS6H800N AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 203 A 80 V Forbedring DFN, NVMFS6H800N AEC-Q101 NVMFS6H800NT1G
- onsemi Type N-Kanal 203 A 100 V Forbedring TO-263, SiC Power Nej
