onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 263 A 30 V P, 8 Ben, SO-8, NTK
- RS-varenummer:
- 229-6465
- Producentens varenummer:
- NTMFS002P03P8ZT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 121,62
(ekskl. moms)
Kr. 152,03
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 24,324 | Kr. 121,62 |
| 50 - 95 | Kr. 20,974 | Kr. 104,87 |
| 100 + | Kr. 18,192 | Kr. 90,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-6465
- Producentens varenummer:
- NTMFS002P03P8ZT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 263A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | NTK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | P | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 217nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 138.9W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.3mm | |
| Højde | 5.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 263A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie NTK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform P | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 217nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 138.9W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.3mm | ||
Højde 5.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor N-kanal effekt MOSFET har meget lav tilstandsmodstand. Den har 226 A drænstrøm. Den bruges til strømbelastningsafbryder og batteristyring.
Forbedre systemets effektivitet
Pladsbesparende
Fremragende varmeledning
Blyfri
Halogenfri/BFR-fri