Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 475 A 40 V Forbedring, 5 Ben, HSOF, IST
- RS-varenummer:
- 235-0606
- Producentens varenummer:
- IST006N04NM6AUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 46,82
(ekskl. moms)
Kr. 58,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.288 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 23,41 | Kr. 46,82 |
| 20 - 48 | Kr. 20,16 | Kr. 40,32 |
| 50 - 98 | Kr. 18,775 | Kr. 37,55 |
| 100 - 198 | Kr. 17,315 | Kr. 34,63 |
| 200 + | Kr. 16,155 | Kr. 32,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-0606
- Producentens varenummer:
- IST006N04NM6AUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 475A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | HSOF | |
| Serie | IST | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 178nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.9mm | |
| Højde | 7.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 475A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype HSOF | ||
Serie IST | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 178nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.9mm | ||
Højde 7.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMoSTM6 effekttransistor drives på 40 V og drænstrøm på 475 A. Den er i Stoll-pakken og har meget lav RDS(on) på 0,60 mOhm. Det har fordelene ved Infineons velkendte kvalitetsniveau for robuste industripakker, hvilket gør det til den ideelle løsning til forskellige typer ydelse inden for batteridrevne anvendelser, batteribeskyttelse og batteridannelse.
Optimeret til lavspændings motordrev
Optimeret til batterianvendelser
Meget lav RDS-modstand (til)
100 % avalanche-testet
Fremragende termisk ydelse
N-kanal
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 475 A 40 V Forbedring HSOF, IST
- Infineon Type N-Kanal 440 A 40 V Forbedring HSOF, IST
- Infineon Type N-Kanal 300 A 30 V Forbedring HSOF, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 300 A 100 V Forbedring HSOF, IPT015N10N5
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring HSOF, IAUA
- Infineon Type N-Kanal 75 A 600 V Forbedring HSOF, IPT60R
- Infineon Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring HSOF, IPT60R
- Infineon Type N-Kanal 12.5 A 600 V Forbedring HSOF, CoolGaN
