Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 300 A 100 V Forbedring, 9 Ben, HSOF, IPT015N10N5 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 49.690,00

(ekskl. moms)

Kr. 62.112,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 24,845Kr. 49.690,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
170-2320
Producentens varenummer:
IPT015N10N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

IPT015N10N5

Emballagetype

HSOF

Monteringstype

Overflade

Benantal

9

Drain source modstand maks. Rds

2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

169nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.1mm

Bredde

10.58 mm

Højde

2.4mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET


Infineon HSOF-8 overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en modstand fra en drænkilde på 1,5 Mohm ved en gate-kildespænding på 10 V. MOSFET har kontinuerlig drænstrøm på 300 A. Den har en maksimal gate-source-spænding på 20 V og drain-source-spænding på 100 V. Den har et maksimalt effekttab på 375 W. MOSFET har en minimum og en maksimal drivspænding på henholdsvis 6 V og 10 V. Den er optimeret til lavere skift og ledetab. MOSFET giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• 100 % lavine-testet

• fremragende gate-opladning x RDS(on)-produkt (FOM)

• Halogenfri

• højeste systemeffektivitet

• ideel til høj skiftefrekvens

• øget effekttæthed

• blyfri (Pb) belægning

• overspænding

• driftstemperaturområde mellem -55 °C og 175 °C.

• optimeret til synkron ensretning

• reduktion af udgangskapacitet på op til 44 %

• RDS(on)-reduktion på op til 44 %

• meget lav modstand RDS (til)

Anvendelsesområder


• adapter

• lette elektriske køretøjer

• Lavspændingsdrev

• Server-strømforsyninger

• Sol

• telekommunikation

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC

Relaterede links