Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 22 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-varenummer:
- 235-4853
- Producentens varenummer:
- IPD11DP10NMATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 67,32
(ekskl. moms)
Kr. 84,15
(inkl. moms)
Tilføj 40 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 2.045 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,464 | Kr. 67,32 |
| 50 - 120 | Kr. 11,998 | Kr. 59,99 |
| 125 - 245 | Kr. 11,31 | Kr. 56,55 |
| 250 - 495 | Kr. 10,516 | Kr. 52,58 |
| 500 + | Kr. 9,694 | Kr. 48,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-4853
- Producentens varenummer:
- IPD11DP10NMATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 111mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | -59nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 111mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk -59nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS P-kanal MOSFET'er 100 V i DPAK-pakken repræsenterer den nye teknologi, der er målrettet til batteristyring, belastningsafbryder og beskyttelse mod omvendt polaritet. Den største fordel ved en P-kanal-enhed er reduktionen af designkompleksiteten i mellem- og laveffekts-applikationer. Dens nemme interface til MCU, hurtige skift samt lavine-robusthed gør den velegnet til krævende anvendelser i høj kvalitet. Den er tilgængelig på normalt niveau med et bredt RDS-område (til) og forbedrer effektiviteten ved lave belastninger på grund af lav QG. Den bruges til batteristyring, industriel automatisering.
Fås i 4 forskellige pakker
Bredt område
Normalt niveau og tilgængelighed for logikniveau
Velegnet til høj og lav skiftefrekvens
Nem interface til MCU
Lav designkompleksitet
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 22 A 100 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type P-Kanal 15.1 A P IPD
- Infineon Type P-Kanal -85 A -40 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 9 A 150 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type P-Kanal 13.7 A 100 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type P-Kanal 13.9 A 100 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type P-Kanal -50 A -30 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -90 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101