Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 9 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 27,08

(ekskl. moms)

Kr. 33,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 13,54Kr. 27,08
20 - 48Kr. 12,19Kr. 24,38
50 - 98Kr. 11,405Kr. 22,81
100 - 198Kr. 10,545Kr. 21,09
200 +Kr. 9,80Kr. 19,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
235-4859
Producentens varenummer:
IPD42DP15LMATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

420mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

-43nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.41mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS P-kanal MOSFET'er 150 V i DPAK-pakken repræsenterer den nye teknologi, der er målrettet til batteristyring, belastningsafbryder og beskyttelse mod omvendt polaritet. Den største fordel ved en P-kanal-enhed er reduktionen af designkompleksiteten i mellem- og laveffekts-applikationer. Dens nemme interface til MCU, hurtige skift samt lavine-robusthed gør den velegnet til krævende anvendelser i høj kvalitet. Den fås i logikniveau med et bredt RDS-område (til) og forbedrer effektiviteten ved lave belastninger pga. lav QG. Den bruges til batteristyring, industriel automatisering.

Velegnet til høj og lav skiftefrekvens

Lavinerobusthed

Overflademonteret hus i industristandard

Robust, pålidelig ydeevne

Øget forsyningssikkerhed

Relaterede links