Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 9 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD Nej IPD42DP15LMATMA1
- RS-varenummer:
- 235-4859
- Producentens varenummer:
- IPD42DP15LMATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 28,95
(ekskl. moms)
Kr. 36,188
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.316 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 14,475 | Kr. 28,95 |
| 20 - 48 | Kr. 13,055 | Kr. 26,11 |
| 50 - 98 | Kr. 12,155 | Kr. 24,31 |
| 100 - 198 | Kr. 11,295 | Kr. 22,59 |
| 200 + | Kr. 10,395 | Kr. 20,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-4859
- Producentens varenummer:
- IPD42DP15LMATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 420mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | -43nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 420mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk -43nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS P-kanal MOSFET'er 150 V i DPAK-pakken repræsenterer den nye teknologi, der er målrettet til batteristyring, belastningsafbryder og beskyttelse mod omvendt polaritet. Den største fordel ved en P-kanal-enhed er reduktionen af designkompleksiteten i mellem- og laveffekts-applikationer. Dens nemme interface til MCU, hurtige skift samt lavine-robusthed gør den velegnet til krævende anvendelser i høj kvalitet. Den fås i logikniveau med et bredt RDS-område (til) og forbedrer effektiviteten ved lave belastninger pga. lav QG. Den bruges til batteristyring, industriel automatisering.
Velegnet til høj og lav skiftefrekvens
Lavinerobusthed
Overflademonteret hus i industristandard
Robust, pålidelig ydeevne
Øget forsyningssikkerhed
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 9 A 150 V DPAK (TO-252) IPD42DP15LMATMA1
- Infineon P-Kanal 13.9 A. 100 V DPAK (TO-252) IPD18DP10LMATMA1
- Infineon P-Kanal 22 A 100 V DPAK (TO-252) IPD11DP10NMATMA1
- Infineon P-Kanal 13 3 ben, DPAK (TO-252) IPD19DP10NMATMA1
- Infineon P-Kanal 13 A 150 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR6215TRL
- Infineon N-Kanal 24 A 150 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR24N15DTRPBF
- Infineon P-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD90P03P4L04ATMA1
- Infineon P-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD90P04P4L04ATMA1