Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V, 6 Ben, US6 Nej SSM6N7002KFU,LF(T
- RS-varenummer:
- 236-3582
- Producentens varenummer:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 200 enheder)*
Kr. 119,20
(ekskl. moms)
Kr. 149,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 27.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | Kr. 0,596 | Kr. 119,20 |
| 400 - 600 | Kr. 0,583 | Kr. 116,60 |
| 800 - 1000 | Kr. 0,573 | Kr. 114,60 |
| 1200 - 2800 | Kr. 0,536 | Kr. 107,20 |
| 3000 + | Kr. 0,488 | Kr. 97,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-3582
- Producentens varenummer:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | US6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.79V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.39nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 2.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype US6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.79V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.39nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 2.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Toshiba-transistoren med felteffekt, der består af silikonemateriale og med N-kanal MOS-type. Den bruges primært til skift ved høj hastighed.
Temperaturområde ved opbevaring - 55 til 150 C.
Relaterede links
- Toshiba N-Kanal 300 mA 60 V US6 SSM6N7002KFU,LF(T
- Toshiba N-Kanal 300 mA 60 V SOT-363 AEC-Q101 SSM6N7002KFU
- Toshiba N-Kanal 100 mA 30 V SC-75 SSM3K15AFS,LF(T
- Toshiba P-Kanal 2 A 60 V SOT-23 SSM3J356R,LF(T
- Toshiba N-Kanal 6 A 60 V SOT-23 SSM3K341R,LF(T
- Toshiba P-Kanal 3 3 benLF(T
- Nexperia P-Kanal 300 mA 60 V SOT-23 BSH201,215
- Toshiba N-Kanal 200 mA 60 V SOT-23 T2N7002AK,LM(T
