Toshiba 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, US AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 984,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.230,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,328Kr. 984,00
6000 - 6000Kr. 0,303Kr. 909,00
9000 +Kr. 0,281Kr. 843,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
171-2410
Producentens varenummer:
SSM6N7002KFU
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

1.75Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.39nC

Min. driftstemperatur

150°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Gennemgangsspænding Vf

-0.79V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Længde

2mm

Højde

0.9mm

Bredde

1.25 mm

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TH
Højhastighedskobling

Lav drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1,05 Ω (typ.) (ved VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (typ.) (ved VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (typ.) (ved VGS = 4,5 V)

Relaterede links