Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 850 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, US, TrenchFET AEC-Q101 SQ1922AEEH-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 188-5029
- Producentens varenummer:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 73,45
(ekskl. moms)
Kr. 91,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 2,938 | Kr. 73,45 |
| 250 - 600 | Kr. 2,878 | Kr. 71,95 |
| 625 - 1225 | Kr. 2,205 | Kr. 55,13 |
| 1250 - 2475 | Kr. 1,726 | Kr. 43,15 |
| 2500 + | Kr. 1,322 | Kr. 33,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5029
- Producentens varenummer:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 850mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 530mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.9nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.2mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 850mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 530mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.9nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.2mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Auto Dual N-kanal 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 850 mA 20 V Forbedring US, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 60 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ208EP-T1_GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ912DEP-T1_GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 7 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQ4946CEY-T1_GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 7 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 60 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt 6 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101