Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 850 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, US, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 76,30

(ekskl. moms)

Kr. 95,375

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 225Kr. 3,052Kr. 76,30
250 - 600Kr. 2,995Kr. 74,88
625 - 1225Kr. 2,292Kr. 57,30
1250 - 2475Kr. 1,795Kr. 44,88
2500 +Kr. 1,37Kr. 34,25

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-5029
Producentens varenummer:
SQ1922AEEH-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

850mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

US

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

530mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.9nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.5W

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.2mm

Højde

1mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Auto Dual N-kanal 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.

TrenchFET® power MOSFET

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.