Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 850 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, US, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.967,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.708,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 19. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 0,989Kr. 2.967,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4911
Producentens varenummer:
SQ1922AEEH-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

850mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

530mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

12 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.5W

Gennemgangsspænding Vf

0.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.9nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Længde

2.2mm

Højde

1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.35 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Auto Dual N-kanal 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.

TrenchFET® power MOSFET

Relaterede links