Toshiba 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, US AEC-Q101 SSM6N7002KFU

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 100 enheder)*

Kr. 53,30

(ekskl. moms)

Kr. 66,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.300 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
100 - 400Kr. 0,533Kr. 53,30
500 - 900Kr. 0,466Kr. 46,60
1000 +Kr. 0,429Kr. 42,90

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-2523
Producentens varenummer:
SSM6N7002KFU
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

1.75Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-0.79V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.39nC

Min. driftstemperatur

150°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Højde

0.9mm

Længde

2mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.25 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
TH
Højhastighedskobling

Lav drain-source on-resistance

RDS(ON) = 1,05 Ω (typ.) (ved VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (typ.) (ved VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (typ.) (ved VGS = 4,5 V)

Relaterede links