Toshiba 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, US AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 171-2523
- Producentens varenummer:
- SSM6N7002KFU
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 53,30
(ekskl. moms)
Kr. 66,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 0,533 | Kr. 53,30 |
| 500 - 900 | Kr. 0,466 | Kr. 46,60 |
| 1000 + | Kr. 0,429 | Kr. 42,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-2523
- Producentens varenummer:
- SSM6N7002KFU
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.75Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.39nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.79V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.75Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.39nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.79V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
Højhastighedskobling
Lav drain-source on-resistance
RDS(ON) = 1,05 Ω (typ.) (ved VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1,15 Ω (typ.) (ved VGS = 5,0 V)
RDS(ON) = 1,2 Ω (typ.) (ved VGS = 4,5 V)
Relaterede links
- Toshiba 2 Type N-Kanal Dobbelt 300 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101
- Toshiba Type N-Kanal 300 mA 60 V US6
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 250 mA 30 V Forbedring US, DMN AEC-Q101
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 850 mA 20 V Forbedring US, TrenchFET AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 1 A 30 V Forbedring US, DMN3190LDWQ AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 217 mA 60 V Forbedring US AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100