Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 29 A 600 V, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E
- RS-varenummer:
- 239-5381
- Producentens varenummer:
- SIHK075N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 enhed)*
Kr. 43,02
(ekskl. moms)
Kr. 53,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 43,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-5381
- Producentens varenummer:
- SIHK075N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.08Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.08Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 600 V drain source-spænding, 29 A kontinuerlig drain-strøm - SIHK075N60E-T1-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings, N-kanals halvlederenhed, der er designet til kobling og strømkonvertering i krævende elektroniske systemer. Den er velegnet til overflademonterede anvendelser, hvor kompakt emballage og robust termisk ydeevne er påkrævet, og den overholder RoHS-miljøbegrænsninger.
Egenskaber og fordele:
• 600 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsevne
• 29 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.08 Ω Rds(on) giver lave ledningstab
• 167 W effekttab muliggør effektiv termisk håndtering
• 41 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret koblingsdynamik
• 30 V gate-tolerance giver en bred gate-drive-margen
• 29 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 0.08 Ω Rds(on) giver lave ledningstab
• 167 W effekttab muliggør effektiv termisk håndtering
• 41 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret koblingsdynamik
• 30 V gate-tolerance giver en bred gate-drive-margen
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrev-invertere
• Anvendes sammen med strømforsyninger til server- og telekommunikationsudstyr
• Ideel til DC-DC-konvertere i vedvarende energisystemer
• Kan bruges til højspændingskontakter i instrumentering
• Velegnet til LED-belysningsdrivere, der kræver højspændingskontakter
• Anvendes sammen med strømforsyninger til server- og telekommunikationsudstyr
• Ideel til DC-DC-konvertere i vedvarende energisystemer
• Kan bruges til højspændingskontakter i instrumentering
• Velegnet til LED-belysningsdrivere, der kræver højspændingskontakter
Hvilken monteringsmetode kræves der for pålidelig elektrisk forbindelse?
Den leveres i en PowerPAK 10x12-pakke med lav profil, der er beregnet til overflademontering på et printkort ved hjælp af loddepuder til mekanisk og termisk kontakt.
Hvor bredt driftstemperaturområde er til barske miljøer?
Enheden er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug under ekstreme omgivelses- og forhøjede forbindelsesforhold.
Hvilke hensyn til gate-driver skal overholdes?
Den maksimale gate-source-spænding er 30 V, så gate-drivkredsløb skal begrænse Vgs inden for denne grænse og give tilstrækkeligt drev til at opnå den specificerede gate-ladning på ca. 41 nC.
Hvordan understøtter pakken termisk dissipation?
PowerPAK 10x12-formatet giver en termisk vej gennem huset til printkortet, hvilket hjælper enheden med at styre op til 167 W tab under et passende termisk kortdesign.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 29 A 600 V PowerPAK 10 x 12, E
- Vishay N-Kanal 32 A 600 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 51 A 600 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 32 A 650 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 25 A 600 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 29 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, E Series
- Vishay N-Kanal 29 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, E Series
