Nexperia 2 Type N-Kanal, MOSFET, 18.2 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 45,00

(ekskl. moms)

Kr. 56,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.450 enhed(er) afsendes fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 4,50Kr. 45,00
50 - 90Kr. 4,378Kr. 43,78
100 - 240Kr. 4,263Kr. 42,63
250 - 490Kr. 4,154Kr. 41,54
500 +Kr. 4,05Kr. 40,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
240-1819
Producentens varenummer:
BUK9K25-40RAX
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18.2A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

LFPAK56D

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

29mΩ

Portkildespænding maks.

-15 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.3nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

32W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Nexperia dobbelt N-kanal MOSFET med logikniveau i en LFPAK56D-pakke, der anvender applikationsspecifik (ASFET) repetitiv lavine-silikoneteknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til AEC-Q101 til brug ved gentagne lavineopgaver.

Fuldt kvalificeret til brug i biler til AEC-Q101 ved 175 oC

Gentagen lavine normeret til 30 C TJ stigning

Testet til 1 mia. lavine-hændelser

LFPAK kobberklemme-pakketeknologi

Høj robusthed og pålidelighed

Gull wing-ledninger for høj grad af produktion og AOI

Relaterede links