Nexperia 2 N-Kanal, MOSFET, 18.2 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 55,35

(ekskl. moms)

Kr. 69,19

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.440 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 5,535Kr. 55,35
50 - 90Kr. 5,378Kr. 53,78
100 - 240Kr. 5,243Kr. 52,43
250 - 490Kr. 5,109Kr. 51,09
500 +Kr. 4,982Kr. 49,82

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
240-1819
Producentens varenummer:
BUK9K25-40RAX
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18.2A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

LFPAK56D

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

29mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-15V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.3nC

Effektafsættelse maks. Pd

32W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Nexperia dobbelt N-kanal MOSFET med logikniveau i en LFPAK56D-pakke, der anvender applikationsspecifik (ASFET) repetitiv lavine-silikoneteknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til AEC-Q101 til brug ved gentagne lavineopgaver.

Fuldt kvalificeret til brug i biler til AEC-Q101 ved 175 oC

Gentagen lavine normeret til 30 C TJ stigning

Testet til 1 mia. lavine-hændelser

LFPAK kobberklemme-pakketeknologi

Høj robusthed og pålidelighed

Gull wing-ledninger for høj grad af produktion og AOI

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.