Nexperia 2 Type N-Kanal, MOSFET, 18.2 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 47,05

(ekskl. moms)

Kr. 58,81

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 4,705Kr. 47,05
50 - 90Kr. 4,57Kr. 45,70
100 - 240Kr. 4,451Kr. 44,51
250 - 490Kr. 4,338Kr. 43,38
500 +Kr. 4,226Kr. 42,26

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
240-1819
Producentens varenummer:
BUK9K25-40RAX
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18.2A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

LFPAK56D

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

29mΩ

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.3nC

Effektafsættelse maks. Pd

32W

Portkildespænding maks.

-15 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Nexperia dobbelt N-kanal MOSFET med logikniveau i en LFPAK56D-pakke, der anvender applikationsspecifik (ASFET) repetitiv lavine-silikoneteknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til AEC-Q101 til brug ved gentagne lavineopgaver.

Fuldt kvalificeret til brug i biler til AEC-Q101 ved 175 oC

Gentagen lavine normeret til 30 C TJ stigning

Testet til 1 mia. lavine-hændelser

LFPAK kobberklemme-pakketeknologi

Høj robusthed og pålidelighed

Gull wing-ledninger for høj grad af produktion og AOI

Relaterede links