Nexperia N-Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK56E
- RS-varenummer:
- 240-1975
- Producentens varenummer:
- PSMN2R0-55YLHX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 65,45
(ekskl. moms)
Kr. 81,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.758 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 32,725 | Kr. 65,45 |
| 50 - 98 | Kr. 29,435 | Kr. 58,87 |
| 100 - 248 | Kr. 24,085 | Kr. 48,17 |
| 250 - 498 | Kr. 23,635 | Kr. 47,27 |
| 500 + | Kr. 20,605 | Kr. 41,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 240-1975
- Producentens varenummer:
- PSMN2R0-55YLHX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | LFPAK56E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 12.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype LFPAK56E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 12.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er i LFPAK56E-hus. ASFET er især velegnet til 36 V batteridrevne anvendelser, der kræver stærk lavinefunktion, lineær tilstand, brug ved høje switching-frekvenser og også sikker A.
Kvalificeret til 175 °C
Lavine-klassificeret, 100 % testet
Lav QG, QGD og QOSS for høj effektivitet, især ved højere switching-frekvenser
Superhurtigt skift med blød gendannelse af lysdiode til lavt spike og ringning, anbefales til design med lav EMI
Unik "SchottkyPlus"-teknologi til Schottky-lignende koblingsydelse og lav IDSS-lækage
Smal VGS (TH)-klassificering for nem parallelkobling og forbedret strømdeling
Meget stærk lineær tilstand/sikre driftsområders egenskaber for sikker og pålidelig omskiftning ved høje strømforhold
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 10.3 A 30 V LFPAK56E
- Nexperia N-Kanal 10.3 A 30 V LFPAK88
- Nexperia N-Kanal 10.3 A 30 V SOT-23
- Nexperia N-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia N-Kanal 100 A 30 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia N-Kanal 10.3 A 25 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type P-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia N-Kanal 70 A 25 V Forbedring LFPAK, PSM