Infineon 2 N-Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IPG20N06S4L-14A AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 241-9688
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 62,38
(ekskl. moms)
Kr. 77,98
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 14.995 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,476 | Kr. 62,38 |
| 50 - 120 | Kr. 10,756 | Kr. 53,78 |
| 125 - 245 | Kr. 10,112 | Kr. 50,56 |
| 250 - 495 | Kr. 9,364 | Kr. 46,82 |
| 500 + | Kr. 8,736 | Kr. 43,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9688
- Producentens varenummer:
- IPG20N06S4L14AATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | IPG20N06S4L-14A | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie IPG20N06S4L-14A | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS™-T2 N-channel automotive MOSFET has 60 V drain source voltage (VDS) & 20 A drain current (ID). Det leveres i PowerFLAT PG-TDSON-8 hus. Vanddispergerbare flanker til automatisk optisk inspektion (AOI)
Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
100 % avalanche-testet
Vanddispergerbare flanker til automatisk optisk inspektion (AOI)
Relaterede links
- Infineon 2 N-Kanal 20 A 60 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IPG20N06S4L-14A AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 60 A 20 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 20 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUZ AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 24 A 100 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101