Infineon N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, BSZ

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
241-9705
Producentens varenummer:
BSZ039N06NSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

212A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PQFN

Serie

BSZ

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.7mΩ

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

The Infineon OptiMOS Power Transistor is a N channel MOSFET which is fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications. It has Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection.

Optimized for high performance SMPS

Fremragende termisk modstand

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.