Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0 Nej BSC026N08NS5ATMA1
- RS-varenummer:
- 242-0294
- Producentens varenummer:
- BSC026N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 43,61
(ekskl. moms)
Kr. 54,512
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 14.362 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 21,805 | Kr. 43,61 |
| 20 - 48 | Kr. 19,41 | Kr. 38,82 |
| 50 - 98 | Kr. 18,325 | Kr. 36,65 |
| 100 - 198 | Kr. 16,98 | Kr. 33,96 |
| 200 + | Kr. 15,67 | Kr. 31,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 242-0294
- Producentens varenummer:
- BSC026N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 381A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSC0 | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 381A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSC0 | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 effekttransistor er en N-kanal MOSFET, som er optimeret til synkron ensretning i server og desktop.
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 184 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC026N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 95 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC052N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 226 A. 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC021N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 66 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 ISC0602NLSATMA1
- Infineon N-Kanal 70 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IAUC70N08S5N074ATMA1
- Infineon N-Kanal 131 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC037N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 74 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 BSC072N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IAUC100N08S5N043ATMA1
