Nexperia, MOSFET, 10.3 A 30 V, TO-247
- RS-varenummer:
- 243-4620
- Producentens varenummer:
- GAN041-650WSBQ
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 160,97
(ekskl. moms)
Kr. 201,21
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 160,97 |
| 5 - 9 | Kr. 157,83 |
| 10 - 299 | Kr. 147,95 |
| 300 + | Kr. 145,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-4620
- Producentens varenummer:
- GAN041-650WSBQ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia Galliumnitrid (GAN) FET i TO-247-hus er en normalt frakoblet enhed, der kombinerer Nexperias nyeste højspændings GAN HEMT H2-teknologi og lavspændings silicium MOSFET-teknologier, der giver overlegen pålidelighed og ydeevne.
Ultralav genvindingsladning
Enkelt gate-drive (0 V til +10 V eller 12 V)
Robust gate-oxid ( ± 20 V kapacitet)
Høj gate-tærskelspænding (+4 V) for meget god modstandsdygtighed over for bump fra porten
Meget lav kilde - drænspænding i omvendt ledende tilstand
Mulighed for transientoverspænding
Hårde og bløde omformere til industriel og datakommunikationsstrøm
Bridgløs totempæl PFC
PV og UPS invertere
Servomotordrev
Relaterede links
- Nexperia 10.3 A 30 V, TO-247
- Nexperia N-Kanal 10.3 A 30 V LFPAK88
- Nexperia N-Kanal 10.3 A 30 V LFPAK56E
- Nexperia N-Kanal 10.3 A 30 V SOT-23
- Nexperia N-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type P-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia N-Kanal 67 A 1200 V Forbedring TO-247
- Nexperia N-Kanal 37 A 1200 V Forbedring TO-247