Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB

RS-varenummer:: 243-9267
Producentens varenummer:: IPB110P06LMATMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB

Indhold (1000 enheder, på en rulle med 1000)*

Kr. 13.514,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.892,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 10. december 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 +	Kr. 13,514	Kr. 13.514,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 243-9267
Producentens varenummer:: IPB110P06LMATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	273A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	iPB
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1.7mΩ
	Kanalform	N
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 273A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie iPB
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ
	Kanalform N
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPB110P06LMATMA1

Infineon iPB seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 273 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPB110P06LMATMA1

Denne MOSFET er en P-kanals halvlederkontakt, der er designet til anvendelser med høj strøm og høj spænding, og leveres i et overflademonteret TO-263-hus. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til strømkonverterings- og koblingsopgaver, hvor der kræves termisk tolerance og kompakt montering.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding muliggør reducerede ledningstab
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af kraftig belastning
• 100 V drain-source-klassificering giver mulighed for implementering af højere spænding
• 81 W effekttab giver robust termisk kapacitet
• 80 nC typisk gate-ladning muliggør reaktiv omskiftning
• RoHS-overensstemmelse minimerer indholdet af farlige stoffer

Anvendelser

• Velegnet til synkron ensretning i strømforsyninger
• Nyttig i efterfølgende faser af motordrev, der kræver høj strøm
• Kan bruges til højspændings DC-DC-omformerswitche
• Ideel til kompakte strømmoduler til overflademontering
• Anvendes til hurtig omskiftning i miljøer med transient belastning

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under brug?

Gate-source-spændingen må ikke overstige ±20 V for at undgå at beskadige gate-strukturen.

Hvordan påvirker temperaturområdet implementeringsmuligheder?

Enheden fungerer fra -55 °C til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug under både koldstart og høje temperaturer.

Hvilke monteringshensyn gælder for termisk ydeevne?

Anvend passende PCB-varmepuder og varmeafledere med TO-263-footprint til at styre 81 W tab.

Hvordan påvirker kanaltypen kredsløbspolariteten?

Som en P-kanalenhed kræver den passende polaritetsarrangementer til high-side-switching-konfigurationer.

Hvilken skifteadfærd angives af dens fremadgående spænding?

en fremadgående spænding på 1,1 V afspejler dens ledningskarakteristik under specificerede drifts- og belastningsforhold.