Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB Nej IPB110P06LMATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 29,40

(ekskl. moms)

Kr. 36,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 631 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 29,40
10 - 24Kr. 28,05
25 - 49Kr. 27,38
50 - 99Kr. 25,58
100 +Kr. 23,79

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
243-9268
Producentens varenummer:
IPB110P06LMATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

273A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

iPB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

N

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon P-kanal lille signaltransistor har blyfri blybelægning. Drænstrømmen og drænkildespændingen for MOSFET er henholdsvis 100 A og -60V. Den har meget lav modstandsværdi. Driftstemperaturen er mellem -55 og 150 grader C.

Overflademonteret teknologi

Tilgængelighed på logikniveau

Nem interface til mikrokontrollerenhed (MCU)

Hurtigt skift

lavine-robusthed

Relaterede links