Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB
- RS-varenummer:
- 243-9268
- Producentens varenummer:
- IPB110P06LMATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 31,86
(ekskl. moms)
Kr. 39,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 353 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 31,86 |
| 10 - 24 | Kr. 30,22 |
| 25 - 49 | Kr. 29,62 |
| 50 - 99 | Kr. 27,53 |
| 100 + | Kr. 25,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-9268
- Producentens varenummer:
- IPB110P06LMATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 273A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 273A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon P-kanal lille signaltransistor har blyfri blybelægning. Drænstrømmen og drænkildespændingen for MOSFET er henholdsvis 100 A og -60V. Den har meget lav modstandsværdi. Driftstemperaturen er mellem -55 og 150 grader C.
Overflademonteret teknologi
Tilgængelighed på logikniveau
Nem interface til mikrokontrollerenhed (MCU)
Hurtigt skift
lavine-robusthed
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 273 A 100 V N TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V P TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V N TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V N TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V N TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 273 A 100 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 44 A 300 V P iPB