Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V P, 3 Ben, TO-263, iPB Nej IPB020N08N5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 29,02

(ekskl. moms)

Kr. 36,28

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 810 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 29,02
10 - 24Kr. 27,53
25 - 49Kr. 27,00
50 - 99Kr. 25,28
100 +Kr. 23,19

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
243-9266
Producentens varenummer:
IPB020N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

273A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

P

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon N-kanal Power MOSFET er ideel til højfrekvent switching. Den har et fremragende gate-charge-produkt (FOM). Den leveres typisk i D2PAK-pakkesystem. Drænstrømmen og drænkildespændingen for MOSFET er 173 A og 80 V resec

300 W effekttab

Overflademontering

Optimeret til synkron ensretning

Udgangskapacitetsreduktion på op til 44 %

Relaterede links