Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB Nej IPB017N10N5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 44,07

(ekskl. moms)

Kr. 55,09

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.788 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 44,07
10 - 24Kr. 41,89
25 - 49Kr. 40,24
50 - 99Kr. 38,37
100 +Kr. 35,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
242-5817
Producentens varenummer:
IPB017N10N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

273A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

iPB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

N

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET er specielt designet til synkron ensretning i telekom-blokke, herunder eller-ing, hot swap og batteribeskyttelse samt til serverstrømforsyning. Enheden har en lavere RDS(on) på 22 % sammenlignet med lignende enheder. En af de største bidragydere til denne brancheførende FOM er den lave modstand i tændt tilstand, der giver det højeste niveau af effekttæthed og effektivitet.

Optimeret til synkron ensretning

Velegnet til høj skiftefrekvens

Reduktion af udgangskapacitet på op til 44 % RDS(on) reduktion på op til 43 % fra forrige generation

Højeste systemeffektivitet

Færre skift og ledningstab

Relaterede links