Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 20.155,00

(ekskl. moms)

Kr. 25.194,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 20,155Kr. 20.155,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
242-5816
Producentens varenummer:
IPB017N10N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

273A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET er specielt designet til synkron ensretning i telekom-blokke, herunder eller-ing, hot swap og batteribeskyttelse samt til serverstrømforsyning. Enheden har en lavere RDS(on) på 22 % sammenlignet med lignende enheder. En af de største bidragydere til denne brancheførende FOM er den lave modstand i tændt tilstand, der giver det højeste niveau af effekttæthed og effektivitet.

Optimeret til synkron ensretning

Velegnet til høj skiftefrekvens

Reduktion af udgangskapacitet på op til 44 % RDS(on) reduktion på op til 43 % fra forrige generation

Højeste systemeffektivitet

Færre skift og ledningstab

Relaterede links