Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB
- RS-varenummer:
- 242-5816
- Producentens varenummer:
- IPB017N10N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 17.593,00
(ekskl. moms)
Kr. 21.991,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 17,593 | Kr. 17.593,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 242-5816
- Producentens varenummer:
- IPB017N10N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 273A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 273A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET er specielt designet til synkron ensretning i telekom-blokke, herunder eller-ing, hot swap og batteribeskyttelse samt til serverstrømforsyning. Enheden har en lavere RDS(on) på 22 % sammenlignet med lignende enheder. En af de største bidragydere til denne brancheførende FOM er den lave modstand i tændt tilstand, der giver det højeste niveau af effekttæthed og effektivitet.
Optimeret til synkron ensretning
Velegnet til høj skiftefrekvens
Reduktion af udgangskapacitet på op til 44 % RDS(on) reduktion på op til 43 % fra forrige generation
Højeste systemeffektivitet
Færre skift og ledningstab
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V N TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V N TO-263, iPB
- Infineon Type P-Kanal 273 A 100 V N TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V P TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V N TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 273 A 100 V Forbedring TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 72 A 220 V N iPB