Infineon N-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, iPB

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til krævende industrielle miljøer og strømkonverteringsmiljøer, hvor robust strømhåndtering og termisk modstandsdygtighed er påkrævet.

• Lav modstand ved tænding giver minimale ledningstab og forbedret effektivitet
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm muliggør vedvarende drift ved kraftig belastning
• 100 V drain-klassificering understøtter almindelige topologier med mellemspænding
• 81 W effekttab giver mulighed for højere effektgennemstrømning i kompakte kabinetter
• 80 nC typisk gate-ladning understøtter reaktiv omskiftning i konvertere
• 20 V portklassificering muliggør bred portdrevspændingsfleksibilitet

• Velegnet til DC-DC-strømomformere med høj strømstyrke
• Ideel til synkron ensretning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med motordrevne halvbrotrin
• Kan bruges til server- og telekommunikationsstrømskinner
• Velegnet til batteristyring og invertersystemer

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C og understøtter et bredt område af industrielle temperaturkrav.

Overflademonteringsformatet TO-263 muliggør direkte printkortmontering med lav termisk modstandsdygtighed til varmeafledere.

Med en typisk portladning på 80 nC og en maksimal portklassificering på 20 V skal portdrivere forsyne tilstrækkelig strøm, samtidig med at Vgs-grænsen overholdes for at opnå hurtige overgange.

Enheden bruger en N-kanal-arkitektur med en meget lav drain-source-modstand, der reducerer ledningstab, samtidig med at den opretholder høj strømkapacitet.

Delen er ikke klassificeret som kompatibel med standarder for biler, men opfylder RoHS-miljøkrav.