Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V P, 3 Ben, TO-263, iPB Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 13.015,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.269,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 13,015Kr. 13.015,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
243-9265
Producentens varenummer:
IPB020N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

273A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

iPB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

P

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon N-kanal Power MOSFET er ideel til højfrekvent switching. Den har et fremragende gate-charge-produkt (FOM). Den leveres typisk i D2PAK-pakkesystem. Drænstrømmen og drænkildespændingen for MOSFET er 173 A og 80 V resec

300 W effekttab

Overflademontering

Optimeret til synkron ensretning

Udgangskapacitetsreduktion på op til 44 %

Relaterede links