Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101 IPD95R750P7ATMA1
- RS-varenummer:
- 244-0883
- Producentens varenummer:
- IPD95R750P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 30,66
(ekskl. moms)
Kr. 38,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.358 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 15,33 | Kr. 30,66 |
| 20 - 48 | Kr. 12,565 | Kr. 25,13 |
| 50 - 98 | Kr. 11,82 | Kr. 23,64 |
| 100 - 198 | Kr. 11,035 | Kr. 22,07 |
| 200 + | Kr. 10,10 | Kr. 20,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-0883
- Producentens varenummer:
- IPD95R750P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET 950V CoolMOS P7-serien sætter en ny standard inden for 950V superjunction-teknologier og kombinerer klassens bedste ydeevne med ART brugervenlighed, der er resultatet af Infineons over 18 års banebrydende innovation inden for superjunction-teknologi.
Klassens bedste FOM RDS(on) * Eoss
Klassens bedste DPAK RDS (til)
Klassens bedste V (GS) TH af 3V
Fuldt optimeret portefølje
Integreret ESD-beskyttelse med zenerdiode
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 9 A 950 V DPAK (TO-252) IPD95R750P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 14 A 950 V DPAK (TO-252) IPD95R450P7ATMA1
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V DPAK (TO-252) IPD60R360P7SAUMA1
- Infineon N-Kanal 13 3 ben, TO-252 IPD95R450PFD7ATMA1
- Infineon P-Kanal 9 A 150 V DPAK (TO-252) IPD42DP15LMATMA1
- Infineon N-Kanal 9 A 600 V DPAK (TO-252), CoolMOS™ P7 IPD60R360P7ATMA1
- STMicroelectronics N-Kanal 2 A 950 V DPAK (TO-252) SuperMESH5 STD2N95K5
- Infineon N-Kanal 4 A 950 V TO-252, CoolMOS™ P7 IPD95R2K0P7ATMA1
