Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-0883
- Producentens varenummer:
- IPD95R750P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 35,38
(ekskl. moms)
Kr. 44,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.328 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 17,69 | Kr. 35,38 |
| 20 - 48 | Kr. 14,51 | Kr. 29,02 |
| 50 - 98 | Kr. 13,65 | Kr. 27,30 |
| 100 - 198 | Kr. 12,715 | Kr. 25,43 |
| 200 + | Kr. 11,63 | Kr. 23,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-0883
- Producentens varenummer:
- IPD95R750P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon IPD seriens MOSFET, 100 V drain source spænding, 180 A kontinuerlig drain strøm - IPD95R750P7ATMA1
Denne MOSFET er en højstrøms-switchtransistor, der er designet til overflademonterede strømanvendelser, der fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer. Det er en N-kanal-enhed pakket i et TO-252-format og beregnet til brug, hvor der kræves robust gate-drev og betydelig kontinuerlig drain-strøm.
Egenskaber og fordele:
• 100 V drain-bestandighed understøtter højspændingsswitching
• 180 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af kraftige belastninger
• 0.7 mΩ RDS(on) minimerer ledningstab under belastning
• 81 W effekttab muliggør vedvarende strømforsyning
• 80 nC gate-opladning balancerer krav til skiftehastighed og drev
• 20 V portklassificering giver hovedplads til almindelige portdrev
• 180 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af kraftige belastninger
• 0.7 mΩ RDS(on) minimerer ledningstab under belastning
• 81 W effekttab muliggør vedvarende strømforsyning
• 80 nC gate-opladning balancerer krav til skiftehastighed og drev
• 20 V portklassificering giver hovedplads til almindelige portdrev
Anvendelser
• Velegnet til strømfordelingsmoduler til biler
• Ideel til motordrevstrin i elektrifiserede systemer
• Anvendes sammen med DC-DC-omformere i strømforsyninger med høj strømstyrke
• Kan bruges til batteribeskyttelse og -styring
• Velegnet til kobling med høj effekt i industrielle invertere
• Ideel til motordrevstrin i elektrifiserede systemer
• Anvendes sammen med DC-DC-omformere i strømforsyninger med høj strømstyrke
• Kan bruges til batteribeskyttelse og -styring
• Velegnet til kobling med høj effekt i industrielle invertere
Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?
Den er normeret til drift fra -55 °C op til +150 °C til udvidede driftsforhold.
Hvordan påvirker benkonfigurationen monteringen?
Den trebenede anordning i en TO-252-pakke til overflademontering letter kompakte printkortlayouts og effektiv varmeledning til kortet.
Hvilket materiale eller hvilken godkendelse angiver overensstemmelse med begrænsede stoffer?
Den opfylder RoHS-kravene for begrænsede stoffer i elektroniske enheder.
Er enheden velegnet til bilkvalitetskriterier?
Den er i overensstemmelse med AEC-Q101 standarder, der gælder for diskrete halvledere til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 180 A 75 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 180 A 40 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 9.9 A N IPD
- Infineon N-Kanal 18 A N IPD
