onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V N, 5 Ben, DFN-5, NTM Nej
- RS-varenummer:
- 244-9181
- Producentens varenummer:
- NTMFS3D2N10MDT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*
Kr. 15.220,50
(ekskl. moms)
Kr. 19.026,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 14. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | Kr. 10,147 | Kr. 15.220,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-9181
- Producentens varenummer:
- NTMFS3D2N10MDT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 58A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | NTM | |
| Emballagetype | DFN-5 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 117W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 58A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie NTM | ||
Emballagetype DFN-5 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 117W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ON Semiconductor MOSFET bruges som primær switch i isoleret DC-DC-konverter, synkron ensretning (SR) i DC-DC og AC-DC, AC-DC-adaptere (USB PD) SR, belastningsafbryder, hotswap, O-ring-kontakt, BLDC-motor og solinverter. Drain-to-source spænding og gate-to-source spænding for denne MOSFET er henholdsvis 100 V og ± 20 V.
Skærmet Gate MOSFET-teknologi
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
Low QRR, blød plastificeringshusdiode
Lav QOSS til forbedring af effektiviteten ved let belastning
Disse enheder er blyfri, halogenfri/BFR-fri, berylliumfri og overholder RoHS
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN-5, NTM Nej NTMFS3D2N10MDT1G
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN, NTM Nej
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN, NTM Nej NTMFS5C645NT1G
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V N DFN, NTM Nej NTMFS6H824NT1G
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring DFN-5, NTM AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 58 A 1200 V Forbedring DFN-5, NTM AEC-Q101 NTMFS002N10MCLT1G
- onsemi Type N-Kanal 66 A 40 V Forbedring DFN-5, NTM Nej NTMFS4D7N04XMT1G
- onsemi Type N-Kanal 310 A 40 V Forbedring DFN-8, NTM Nej NTMFSC0D8N04XMTWG
