DiodesZetex 2 N-Kanal, MOSFET, 9 A 20 V Forbedring, 6 Ben, U-DFN2030

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
246-7508
Producentens varenummer:
DMN2014LHAB-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

U-DFN2030

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

6

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

0.8W

Portkildespænding maks.

12V

Gennemgangsspænding Vf

0.75V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

DiodesZetex er en ny generation af MOSFET med dobbelt N-kanal-forbedringstilstand. Den er designet til at minimere modstand i tilstanden (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i U-DFN2030-6-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Den har et driftstemperaturområde på -55 til +150 oC Den har lav indgangskapacitet og hurtig skiftehastighed.

Den maksimale drain til kildespænding er 20 V, og den maksimale gate til kildespænding er ± 16 V, den giver lav on-Resistance og lav gate-tærskelspænding ESD-beskyttet gate

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.