DiodesZetex N-Kanal, MOSFET, 11.9 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, DMT6016LSS
- RS-varenummer:
- 146-0596
- Producentens varenummer:
- DMT6016LSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 6.710,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.387,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 35.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 2,684 | Kr. 6.710,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-0596
- Producentens varenummer:
- DMT6016LSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | DMT6016LSS | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 28mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 4.95mm | |
| Bredde | 3.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie DMT6016LSS | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 28mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 4.95mm | ||
Bredde 3.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 40 V til 90 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 11.9 A 60 V Forbedring SOIC, DMT6016LSS
- DiodesZetex N-Kanal 5 A 60 V Forbedring SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N MOSFET 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex Type N MOSFET 40 V Forbedring SOIC
- DiodesZetex 1 N-Kanal Enkelt 8.7 A 30 V Forbedring SOIC
- DiodesZetex N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N-Kanal Dobbelt 7.6 A 60 V Forbedring SOIC, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N-Kanal Isoleret 4.1 A 60 V Forbedring SOIC AEC-Q101