DiodesZetex 2 Type N-Kanal, MOSFET 20 V Forbedring, 6 Ben, U-DFN2030 Nej
- RS-varenummer:
- 246-6788
- Producentens varenummer:
- DMN2014LHAB-13
- Brand:
- DiodesZetex
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 246-6788
- Producentens varenummer:
- DMN2014LHAB-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | U-DFN2030 | |
| Benantal | 6 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.75V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype U-DFN2030 | ||
Benantal 6 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.75V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex er en ny generation af MOSFET med dobbelt N-kanal-forbedringstilstand. Den er designet til at minimere modstand i tilstanden (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i U-DFN2030-6-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Den har et driftstemperaturområde på -55 til +150 oC Den har lav indgangskapacitet og hurtig skiftehastighed.
Den maksimale drain til kildespænding er 20 V, og den maksimale gate til kildespænding er ± 16 V, den giver lav on-Resistance og lav gate-tærskelspænding ESD-beskyttet gate
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal 6 Ben, U-DFN2030 Nej DMN2014LHAB-13
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 9.3 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 9.3 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q101 DMN2014LHAB-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring AEC-Q101 DMT10H4M9SPSW-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring AEC-Q101 DMT10H4M9LPSW-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 Ben, PowerDI3333-8 Nej
- DiodesZetex Type N-Kanal 8 Ben, PowerDI5060-8 Nej
