DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 9.3 A 20 V Forbedring, 7 Ben, UDFN AEC-Q101 DMN2014LHAB-7

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 112,40

(ekskl. moms)

Kr. 140,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 +Kr. 2,248Kr. 112,40

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
827-0462
Producentens varenummer:
DMN2014LHAB-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

UDFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

28mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.5nC

Min. driftstemperatur

150°C

Portkildespænding maks.

12 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Driftstemperatur maks.

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Højde

0.6mm

Længde

3.05mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Bredde

2.05 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET transistorer, Diodes Inc.


Relaterede links