DiodesZetex 2 N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 9.3 A 20 V Forbedring, 7 Ben, UDFN AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
165-8742
Producentens varenummer:
DMN2014LHAB-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

UDFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

28mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Portkildespænding maks.

-12V, +12V

Driftstemperatur maks.

+150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Længde

3.05mm

Højde

0.6mm

Bredde

2.05mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET transistorer, Diodes Inc.


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.