DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 9.3 A 20 V Forbedring, 7 Ben, UDFN AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.690,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.620,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,23Kr. 3.690,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-8742
Producentens varenummer:
DMN2014LHAB-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.3A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

UDFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

28mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Portkildespænding maks.

12 V

Min. driftstemperatur

150°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.5nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

-55°C

Standarder/godkendelser

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Bredde

2.05 mm

Højde

0.6mm

Længde

3.05mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET transistorer, Diodes Inc.


Relaterede links