Infineon Type N-Kanal Halvbro, Effekt MOSFET, 60 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 17,05

(ekskl. moms)

Kr. 21,312

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 776 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 8,525Kr. 17,05
20 - 48Kr. 7,555Kr. 15,11
50 - 98Kr. 7,03Kr. 14,06
100 - 198Kr. 6,88Kr. 13,76
200 +Kr. 6,77Kr. 13,54

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
249-6889
Producentens varenummer:
IAUC60N04S6L030HATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

OptiMOS-TM6

Emballagetype

SuperSO8 5 x 6

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

27nC

Effektafsættelse maks. Pd

75W

Portkildespænding maks.

16 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Halvbro

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS er power MOSFET til brug i biler. Driftskanalen er N. Det er AEC Q101-kvalificeret. MSL1 op til 260 oC Peak reflow. Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS), og det er 100 % Avalanche-testet.

175 °C driftstemperatur

Relaterede links