Infineon Type N-Kanal Halvbro, Effekt MOSFET, 60 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6892
- Producentens varenummer:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 20,64
(ekskl. moms)
Kr. 25,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.970 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 10,32 | Kr. 20,64 |
| 20 - 48 | Kr. 8,675 | Kr. 17,35 |
| 50 - 98 | Kr. 8,08 | Kr. 16,16 |
| 100 - 198 | Kr. 7,555 | Kr. 15,11 |
| 200 + | Kr. 6,955 | Kr. 13,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6892
- Producentens varenummer:
- IAUC60N04S6N031HATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Transistorkonfiguration | Halvbro | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Transistorkonfiguration Halvbro | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS er power MOSFET til brug i biler. Driftskanalen er N. Det er AEC Q101-kvalificeret. MSL1 op til 260 oC Peak reflow. Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS), og det er 100 % Avalanche-testet.
175 °C driftstemperatur
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 60 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 60 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, OptiMOS-TM6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101 IAUCN04S6N017TATMA1
- Infineon Type N-Kanal 230 A 40 V Forbedring PG-LHDSO-10-1, OptiMOS-TM6 AEC-Q101 IAUCN04S6N013TATMA1
- Infineon Type N-Kanal 390 A 40 V Forbedring PG-LHDSO-10-3, OptiMOS-TM6 AEC-Q101 IAUCN04S6N007TATMA1
- Infineon Type N-Kanal 330 A 40 V Forbedring PG-LHDSO-10-2, OptiMOS-TM6 AEC-Q101 IAUCN04S6N009TATMA1
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 45 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC45N04S6L063H AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal Halvbro 45 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, OptiMOSTM AEC-Q101
