Infineon N-Kanal, MOSFET, 18 A 1.2 kV N, 7 Ben, TO-263, IMBG
- RS-varenummer:
- 249-6951
- Producentens varenummer:
- IMBG120R140M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1000 enheder, på en rulle med 1000)*
Kr. 18.096,00
(ekskl. moms)
Kr. 22.620,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 18,096 | Kr. 18.096,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6951
- Producentens varenummer:
- IMBG120R140M1HXTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1.2kV | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IMBG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1.2kV | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IMBG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon siliciumcarbid MOSFET reducerer systemets kompleksitet. Den kører direkte fra flyback-controlleren. Effektivitetsforbedring og reduktion af køleindsatsen. Aktiverer højere frekvens.
Meget lave koblingstab
Kortslutning modstår tid 3 μs
Fuldt kontrollerbar DV/dt
Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) = 4,5V
Robust over for standby-tænd, 0V sluk for gate-spænding kan anvendes
Robust husdiode til hård kommutering
XT-samkoblingsteknologi giver klassens bedste termiske ydeevne
Krybe- og frigang i pakken > 6,1mm
Følerben for optimeret skifteevne
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 18 A 1200 V N TO-263, IMBG
- Infineon N-Kanal 64 A 75 V N TO-263, IMBG
- Infineon N-Kanal 64 A 75 V Forbedring TO-263-7, IMBG AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 18 A 200 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring TO-263, IPB65R
- ROHM N-Kanal 56 A 1200 V N TO-263, SCT
- Infineon N-Kanal TO-247
- Wolfspeed N-Kanal 64 A 1200 V TO-263-7